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醫(yī)療穿戴

“3英寸品僅為7萬日元左右”——用于功率元件的SiC底板不斷降價

功率元件用SiC底板不僅品質(zhì)不斷提高，價格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來了需求擴大，但降價的主要原因在于提供好品質(zhì)底板的廠商增多，“開始出現(xiàn)價格競爭”（多家底板廠商）。

2010-01-08

功率元件 SiC 底板

2010年半導(dǎo)體應(yīng)用市場熱點分析

根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli公司的預(yù)測，中國半導(dǎo)體市場有望在2010年大力反彈。電子和半導(dǎo)體市場將在2010年取得兩位數(shù)的增長速度，增幅將達到17.8%。

2010-01-08

半導(dǎo)體芯片物聯(lián)網(wǎng) 應(yīng)用市場熱點

Avago推出新系列5mm藍光和綠光高亮度高性能直插型LED燈

每一只HLMP-Cxxx系列LED都采用先進的光學(xué)級環(huán)氧樹脂制作，帶來卓越的耐高溫和耐高濕度特性，封裝所使用的環(huán)氧樹脂也具備高度紫外線阻隔能力，可以降低長時間曝光在直接陽光照射下所造成的劣化影響。

2010-01-08

Avago 新系列藍光綠光高亮度直插型LED燈

H/HZ系列：Vishay新一代超高精度Bulk Metal?箔電阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)

2010-01-08

Vishay 箔電阻新標(biāo)準(zhǔn)

夏普與意法半導(dǎo)體合資生產(chǎn)太陽能電池

夏普計劃借此擴展清潔能源業(yè)務(wù)，降低生產(chǎn)成本。夏普和意大利公用事業(yè)公司Enel曾在2008年宣布，打算與一家歐洲制造商合作生產(chǎn)薄膜太陽能電池，但未指明是哪家公司。

2010-01-07

夏普意法半導(dǎo)體合資太陽能電池

OmniVision Technologies推出14.6百萬像素圖像傳感器

領(lǐng)先的高級數(shù)字成像解決方案開發(fā)商OmniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百萬像素圖像傳感器，能夠提供高分辨率的靜止攝影和在每秒60幀完整的1080p高清晰度的動態(tài)影像。最新用于數(shù)碼相機/攝像機(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移動應(yīng)用OV14825皆是第一個傳感器實現(xiàn)為主流的消費電子產(chǎn)品提供最...

2010-01-07

OmniVision 圖像傳感器 OV14810

電阻市場發(fā)展前景向好 2010年需求強勁

業(yè)內(nèi)廠家認為，2010年電阻市場發(fā)展前景向好，需求強勁，預(yù)計2010年電阻市場空間仍將不斷擴大，年增長速度將保持在20%左右。

2010-01-07

電阻電子設(shè)備元器件 3G 高清市場

SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。

2010-01-06

SiB455EDK Vishay P溝道第三代 TrenchFET 功率MOSFET