可控硅整流器在工作時的可靠性和持續(xù)穩(wěn)定性，離不開各項保護(hù)措施的有效設(shè)置。盡管可控硅本身在選擇時就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量，然而為了使它的工作穩(wěn)定性更加出色，工程師在使用這一元件進(jìn)行電路設(shè)計時，還必須為其加上各種保護(hù)。

 

在可控硅整流器的正常工作過程中，晶閘管關(guān)斷過電壓保護(hù)措施的設(shè)置，是保證整流器安全運(yùn)行的重要保障。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在可控硅的關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小，這也就意味著diG/dt極大，由此所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5到6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

 

除了晶閘管關(guān)斷過電壓保護(hù)措施之外，可控硅整流器的交流側(cè)過電壓保護(hù)也同樣是必不可少的。在電路系統(tǒng)的設(shè)計過程中，由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，因此會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓，而這種瞬時過電壓對整流器的危害是相當(dāng)大的。想要對瞬時過電壓進(jìn)行控制，并保障可控硅整流器的安全工作，工程師可以選擇在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，這種設(shè)置能夠顯著減小這種過電壓。

 

 

可控硅整流器的直流側(cè)過電壓保護(hù)措施，也同樣是非常重要的。當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。想要對直流側(cè)過電壓進(jìn)行抑制，目前工程師們常用的方法是使用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。除此之外，整流器的過電流保護(hù)也同樣是需要工程師進(jìn)行逐一的，通常情況下的做法是添加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈。