電路參數(shù)的作用如下所示：

 

 

Rf: 反饋電阻器

 

反饋電阻器決定了振蕩電路的偏置情況。通常情況下，C-MOS集成電路使用的反饋電阻在100KΩ～10MΩ之間 (通常為1MΩ)，而TTL集成電路使用的反饋電阻則在1KΩ～10KΩ之間 (通常為4.7KΩ)，其原因是TTL集成電路的I/O阻抗低。如果反饋電阻太大，反饋量就會(huì)減少，造成工作點(diǎn)不穩(wěn)定。如果反饋電阻太小，會(huì)導(dǎo)致增益減少或電流增加。目前，大多數(shù)集成電路都使用了反饋電阻器。

 

Rd: 阻尼電阻器

 

阻尼電阻器和加載電容器可以充當(dāng)?shù)屯V波器，通過(guò)減少高頻范圍內(nèi)的增益來(lái)抑制異常諧振蕩。此外，也可以限制集成電路增益，讓CERALOCK®更好的與集成電路相匹配，從而來(lái)抑制無(wú)用振鈴、過(guò)沖、下沖。在kHz頻帶內(nèi)，阻尼電阻應(yīng)為幾千歐，而在MHz頻帶內(nèi)，阻尼電阻應(yīng)在幾十歐至幾百歐之間。可以任選阻尼電阻器。

 

CL1/CL2: 加載電容器

 

對(duì)于確定振蕩電路的穩(wěn)定性，此參數(shù)至關(guān)重要。如果負(fù)載電容過(guò)小，振蕩波形就會(huì)變形，導(dǎo)致不穩(wěn)定振蕩。相反，如果負(fù)載電容過(guò)大，振蕩就會(huì)停止。與相同集成電路比較，振蕩電路會(huì)產(chǎn)生較低的頻率，需要較大的靜電容量。

 

Rb: 偏置電阻器

 

如果集成電路增益過(guò)大或采用TTL、三相緩沖集成電路，為了減少集成電路增益或抑制不穩(wěn)定振蕩，可以使用偏置電阻器有目的地改變偏置點(diǎn)。C-MOS集成電路使用阻值為1MΩ至10MΩ的偏置電阻器，TTL使用1KΩ至10KΩ的偏置電阻器。

 

對(duì)于不同的集成電路和CERALOCK®，常數(shù)也不同。

 

來(lái)源：村田制作所