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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號(hào) (LVDS) 振蕩器，擴(kuò)充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達(dá) ±25ppm，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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NCV840x：安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標(biāo)準(zhǔn) 自保護(hù) MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過(guò)去10年中，中國(guó)的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來(lái)看，根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國(guó)1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬(wàn)噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國(guó)的5.62倍，是美國(guó)的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國(guó)的GDP要趕超美國(guó)，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召?gòu)英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購(gòu)英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國(guó)最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購(gòu)
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2010十大科技猜想：超級(jí)電容車將面世
美國(guó)某雜志網(wǎng)站近日對(duì)2010年的科技發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析，并預(yù)測(cè)2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M(jìn)展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機(jī)器人、“超級(jí)電容”動(dòng)力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級(jí)電容車 機(jī)器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動(dòng)作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來(lái)三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項(xiàng)目，華天科技董事會(huì)審議通過(guò)DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項(xiàng)目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴(kuò)張 半導(dǎo)體
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DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問(wèn)周期分離開來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測(cè)試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測(cè)試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例
SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測(cè)試 SDRAM 時(shí)鐘分析
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