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瞬時通斷測量儀測量方案
瞬時通斷測量儀是為配合此試驗而產(chǎn)生的設(shè)備，在繼電器抖動試驗過程中，它可準(zhǔn)確無誤地檢測出繼電器每路觸點瞬時出現(xiàn)的誤動作，本文研究對此類設(shè)備的測量方法。
2011-08-12
瞬時通斷 測量儀 繼電器 信號采集
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一種混合信號實現(xiàn)LED降壓升壓驅(qū)動電路
針對照明應(yīng)用的大功率LED要采用恒流源驅(qū)動，一些標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電流常常用在不同LED生產(chǎn)商的產(chǎn)品中，其中，350mA和700 mA最為常見。根據(jù)串聯(lián)結(jié)的類型和數(shù)量，LED兩端的正向壓降可能不同。許多生產(chǎn)廠商的大功率LED產(chǎn)品都在單個模塊中集成了多個結(jié)。
2011-08-12
LED 降壓升壓 驅(qū)動電路 開關(guān)電源
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會從基礎(chǔ)開始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...
2011-08-12
MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動
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AEM科技喜獲UL目擊實驗室資質(zhì)
AEM科技（蘇州）股份有限公司于北京時間7月28日取得UL目擊實驗室資質(zhì)。這是中國大陸境內(nèi)第一家限流熔斷器生產(chǎn)商獲得本項資質(zhì)，將使AEM熔斷器新產(chǎn)品的UL認證周期大大縮短，為加快研發(fā)成果商品化及高效服務(wù)客戶提供了便利。
2011-08-11
AEM UL 實驗室
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尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度。
2011-08-11
MOSFET 溝道 溝槽式接觸 導(dǎo)通電阻
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BRIC模塊的電源管理和功耗
Pickering Interfaces公司的BRIC模塊在密度很高的格局內(nèi)安放了很多繼電器。BRIC模塊只用到了PXI底板上左手邊的插槽，而為了給模塊進行供電，可以使用在底板上排列比較緊湊的右手邊的其他空余插槽，并且只消耗一個活動插槽的功率。
2011-08-11
BRIC 繼電器 電源管理 開關(guān)
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解決高頻開關(guān)電源的電磁兼容問題
本文重點對鐵路信號電源屏使用的1200W（24V/50A）高頻開關(guān)電源模塊所存在的電磁騷擾超標(biāo)問題進行分析，并提出改進措施。高頻開關(guān)電源產(chǎn)生的電磁騷擾可分為傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾兩大類。傳導(dǎo)騷擾通過交流電源傳播，頻率低于30MHz；輻射騷擾通過空間傳播，頻率在30～1000MHz。
2011-08-10
高頻開關(guān)電源 電磁兼容 開關(guān)電源 EMC EMI
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Multitest推出新型MEMS測試和校準(zhǔn)設(shè)
向世界各地的集成元件制造商（IDM）和最終測試分包商，設(shè)計和制造最終測試分選機、測試座和負載板的領(lǐng)先廠商Multitest公司，已成功為其MEMS測試和校準(zhǔn)產(chǎn)品系列增加了新應(yīng)用。通過新應(yīng)用，3D地磁場傳感器無需使用GPS，即可用于創(chuàng)新移動通信應(yīng)用和先進導(dǎo)航應(yīng)用。
2011-08-10
MEMS 集成元件 移動通信 消費應(yīng)用
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臺灣多數(shù)LED廠商7月營收下滑
受到LED TV終端需求不振影響及近期美債影響，臺灣多數(shù)LED廠商7月營收下降。晶電7月營收降至14.58億元新臺幣，較6月的17.3億元，衰退15%；隆達7月營收7.21億元，較6月也略減3%；規(guī)劃9月掛牌的磊晶廠廣鎵7月營收2.5億元，月減24%。封裝廠光寶科LED營收持平，但照像模組出貨旺，月營收成長3%。泰谷營收...
2011-08-10
LED 晶粒廠 電視背光 照明市場
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