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SRII推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造，不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動(dòng)新的架構(gòu)、材料和性能的改進(jìn)。
2022-01-26
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)界首家同時(shí)聯(lián)合原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這種獨(dú)特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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淺談存儲(chǔ)器芯片封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)
存儲(chǔ)器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機(jī)、電腦等電子設(shè)備，都離不開它。作為計(jì)算機(jī)的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說，存儲(chǔ)器可分為兩類：易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。其中，“易失性存儲(chǔ)器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲(chǔ)器，例如DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時(shí)代
為了發(fā)掘宇航市場(chǎng)的潛力，衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商正通過提供增值服務(wù)，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對(duì)開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業(yè)級(jí)VS消費(fèi)級(jí)，一文讀懂存儲(chǔ)小秘密
面對(duì)眾多類型的高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品時(shí)，你是否曾有過“選擇困難”？遇到DRAM、存儲(chǔ)卡和固態(tài)硬盤時(shí)，你是否也曾傻傻分不清楚？沒關(guān)系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤驅(qū)動(dòng)器）中，具有DRAM的設(shè)備通常可以提供較高的性能。這通常是隨機(jī)性能。
2020-02-13
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路由器主板布局布線的幾個(gè)坑，你踩過嗎？
路由器是家家戶戶的必備品，其主板包含了USB、LAN、SDRAM、2.4G、WIFI等模塊，這些模塊當(dāng)中涉及的的點(diǎn)有RF、USB Differential、ESD、WIFI、50歐姆阻抗、90歐姆阻抗等等，今天就路由器布局布線需要注意的點(diǎn)做個(gè)簡(jiǎn)單的探討。
2019-07-25
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這款高效又緊湊的電源解決方案，用過的設(shè)計(jì)師們都說好
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案，以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進(jìn)的電子系統(tǒng)中，因?yàn)殡娫幢仨毞旁赟oC或其外圍設(shè)備（如DRAM或I/O設(shè)備）附近，因此電源封裝的可占用空間至關(guān)重要。在便攜式儀器中，如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng)，空間更為緊湊。
2019-07-11
- 破局室內(nèi)信號(hào)難題！移遠(yuǎn)通信5G透明吸頂天線實(shí)現(xiàn)360°無死角覆蓋
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