機遇與挑戰(zhàn)：

• 預期MEMS量產(chǎn)工具產(chǎn)業(yè)在2009~2010年間的表現(xiàn)持平
• 慣性MEMS元件、RF開關、能量采集與微反射鏡等方面仍有技術創(chuàng)新的空間。
• 歐洲的制造廠與研發(fā)機構，已紛紛推出標準化的MEMS量產(chǎn)制程模組。 

市場數(shù)據(jù)：

• 預期到2012年，MEMS設備市場規(guī)?？蛇_到5億美元。  
•  至于MEMS材料部分，Yole預期該市場將在2012年達到4.7億美元規(guī)模。

法國的市場研究機構YoleDevelopment預期，明年MEMS設備產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)將持平，不過在慣性MEMS元件、RF開關、能量采集與微反射鏡(micromirrors)等方面仍有技術創(chuàng)新的空間。 

在YoleDevelopment針對全球MEMS設備與材料市場所做的最新報告中，預期MEMS量產(chǎn)工具產(chǎn)業(yè)在2009~2010年間的表現(xiàn)持平，不過業(yè)者的MEMS設備研發(fā)活動仍將積極，以因應市場2011年的大幅成長。預期到2012年，MEMS設備市場規(guī)?？蛇_到5億美元。 

Yole指出，MEMS量產(chǎn)技術趨勢向來是「一種產(chǎn)品、一種制程、一種封裝」，不過現(xiàn)在歐洲的制造廠與研發(fā)機構，已紛紛推出標準化的MEMS量產(chǎn)制程模組。 

其中的領導廠商包括Silex，該公司的晶圓穿孔(through-wafervia)與晶圓級封裝(WLP)平臺，能提供客戶共用制程，已達到較高的良率與降低成本。另一家業(yè)者CEA-Leti也可提供標準化的8吋晶圓制程。 

其他標準化MEMS制造技術還包括硅晶圓穿孔(TSV)、緊密接合(hermeticbonding)與硅薄膜(Simembrane)等。Yole表示，采用TSV技術進行MEMS元件3D整合，在業(yè)界越來越常見，此趨勢也可望推動深層蝕刻(DRIE)技術的成長，并使蝕刻速度加快到100μmin。 

至于MEMS材料部分，Yole預期該市場將在2012年達到4.7億美元規(guī)模。該機構指出，目前在大量應用的MEMS元件制造上，晶圓尺寸有從6吋轉(zhuǎn)向8吋的趨勢；較厚(0.2~0.6μ)的SOI則是用于犧牲層(sacrificialrelease)，此外在較高撓度(deflection)的微反射鏡或某些陀螺儀制造上，則有應用更厚BOX(大于5μ)的趨勢。