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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(六)
本編文章中，陶老師論述了電磁感應(yīng)產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的原理和解決方法；輻射干擾的產(chǎn)生原理和解決方法。
2009-02-26
電磁感應(yīng) 傳導(dǎo) 電磁干擾 開(kāi)關(guān)電源
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日立展出1.9mm見(jiàn)方的LSI集成型壓力傳感器
日立制作所展出了芯片尺寸為1.9mm見(jiàn)方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見(jiàn)方的試制品相比，體積大幅縮小。
2009-02-26
壓力傳感器 LSI集成型壓力傳感器
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MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢(shì)
本文重點(diǎn)介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢(shì)。
2009-02-25
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動(dòng) 擴(kuò)頻
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STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽(yáng)能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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08年光伏設(shè)備銷(xiāo)售額超44億美元
市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)VLSI Research日前發(fā)布報(bào)告，2008年光伏電池和組件制造設(shè)備市場(chǎng)（包括薄膜電池設(shè)備）銷(xiāo)售額達(dá)到了44億美元，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展并不斷增加新的產(chǎn)能。由于各種薄膜技術(shù)的興起并在2008年第一次進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，設(shè)備市場(chǎng)獲得了迅速成長(zhǎng)，促使設(shè)備供應(yīng)商也創(chuàng)造了新的收入記錄。
2009-02-25
光伏電池 太陽(yáng)能 薄膜電池
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希臘通過(guò)歐洲最優(yōu)惠的太陽(yáng)能補(bǔ)助案
希臘于2009年1月15日通過(guò)歐洲最優(yōu)惠的太陽(yáng)能補(bǔ)助案。提案中預(yù)計(jì)將有3GW的龐大裝置量，此補(bǔ)助案一經(jīng)公布，將使希臘在未來(lái)三至四年間，成為歐洲最具潛力的太陽(yáng)能市場(chǎng)之一。
2009-02-24
希臘 太陽(yáng)能
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%
面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開(kāi)發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達(dá)到了36%。發(fā)光波長(zhǎng)為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(五)
本文闡述了電磁干擾和電磁兼容的定義、傳導(dǎo)干擾的定義以及回路電流產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的機(jī)理和抑制方法。
2009-02-23
電磁兼容 電磁干擾 傳導(dǎo)干擾 輻射干擾 回路電流
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STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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