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利用 SPICE 中的磁滯減少磁帶錄音的失真
考慮一個大的高頻正弦波磁化信號。即使有遲滯，記錄信號的平均值也將為零。如果該信號現(xiàn)在與另一個信號存在 DC 偏移，則 HF（高頻）信號現(xiàn)在將基本上圍繞該偏移信號擺動，而與死區(qū)無關(guān)，因為大信號始終驅(qū)動磁化穿過死區(qū)。盡管高頻信號具有波形失真，但情況確實如此。
2023-12-07
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貿(mào)澤電子隆重推出多款Skyworks Solutions, Inc.新品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應Skyworks Solutions, Inc.的創(chuàng)新新品，該公司是業(yè)界知名的高性能模擬和混合信號半導體制造商與供應商，其產(chǎn)品廣泛用于航空航天、汽車、寬帶網(wǎng)絡、智能手機、蜂窩基礎設施、工業(yè)、互聯(lián)家居和醫(yī)療等應用。貿(mào)澤自2012年開始與Skyworks合作至今，通過供應超過55,000個Skyworks料號，持續(xù)為客戶帶來新的產(chǎn)品開發(fā)流程，為各行各業(yè)的客戶提供出色的解決方案。
2023-12-06
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泰克助力汽車測試及質(zhì)量監(jiān)控實現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項嚴峻挑戰(zhàn)，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關(guān)參數(shù)，并評估其動態(tài)行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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設計支持寬輸入電壓和電池電壓范圍的應用
電池充電器來盡可能地減少開發(fā)時間？具有寬輸入電壓 (VIN) 和輸出電壓 (VOUT) 范圍的單電池充電器集成電路 (IC) 使您能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發(fā)時間。
2023-12-01
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貿(mào)澤電子發(fā)布新一期EIT計劃，帶領(lǐng)工程師快速了解WiFi7
2023年11月30日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計劃推出新一期內(nèi)容，帶你一探WiFi7技術(shù)及其為無線通信帶來的變革。WiFi7將開創(chuàng)無線技術(shù)的新時代，為實現(xiàn)更快、更可靠的連接打下基礎。
2023-12-01
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貿(mào)澤電子與Siemens簽訂工業(yè)自動化解決方案代理協(xié)議
2023年11月28日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球工業(yè)自動化領(lǐng)域知名供應商Siemens簽訂代理協(xié)議。Siemens的業(yè)務范圍涵蓋加工和制造行業(yè)的工廠自動化和數(shù)字化、樓宇和分布式能源系統(tǒng)的智能基礎設施、軌道交通解決方案，以及健康技術(shù)和數(shù)字醫(yī)療服務。貿(mào)澤將供應Siemens眾多類別的產(chǎn)品，包括網(wǎng)絡設備、人機接口 (HMI) 解決方案、電路保護和電源。
2023-11-30
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如何優(yōu)化SiC柵級驅(qū)動電路？
對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能。
2023-11-29
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如何設計電池充電速度快4倍的安全可穿戴設備
隨著可穿戴設備革新的持續(xù)推進，對穩(wěn)健電源架構(gòu)的需求不斷增加。在過去十年中，我們看到可穿戴健康監(jiān)測設備大幅增長，這些設備的下一代可能會在相同的小尺寸解決方案中集成更多功能?？纱┐髟O備通常要求支持Wi-Fi、藍牙?并具備生命體征監(jiān)測(VSM)功能。對更多功能的需求，要求系統(tǒng)級和IC級設計人員更明智地選擇可穿戴設備電源架構(gòu)。
2023-11-29
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如何在 3DICC 中基于虛擬原型實現(xiàn)多芯片架構(gòu)探索
在系統(tǒng)定義和規(guī)劃時，虛擬原型可以用來分析架構(gòu)設計決策可能產(chǎn)生的影響，將系統(tǒng)的功能性和非功能性要求轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)的物理硬件屬性，包括裸片的目標工藝、面積大小以及不同組成芯片的組裝要求等。根據(jù)不同的解決方案，選擇不同的chiplets和堆疊架構(gòu)，進行早期的分析驅(qū)動的架構(gòu)探索和優(yōu)化迭代，包括電氣可靠性、散熱、良率分析、應力分析等等。從而可以基于目標系統(tǒng)的指標定義，確定系統(tǒng)的瓶頸所在——性能、功耗、存儲容量/帶寬、面積/體積、成本以及上市時間等，逐步建立和完善各類分析模型，使得整個系統(tǒng)最終定型。
2023-11-28
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壓力傳感器的類型選擇與設計考量
壓力傳感器是一種電子器件，可檢測或監(jiān)控氣體或液體壓力，并將該信息轉(zhuǎn)換為可用于監(jiān)控或調(diào)節(jié)所測量的力的電信號，壓力傳感器的工作方式取決于所使用的技術(shù)類型。本文將為您介紹壓力傳感器的相關(guān)技術(shù)信息，以及CUI Devices推出的壓力傳感器特性。
2023-11-27
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SPICE與IBIS：為電路仿真選擇更合適的模型
隨著電路仿真技術(shù)在原型設計行業(yè)的不斷普及，仿真模型可能成為廣大終端市場客戶的一項關(guān)鍵需求。SPICE和IBIS模型是非常受歡迎的兩種仿真模型，有助于在電路板開發(fā)的原型設計階段節(jié)省成本。本文將介紹SPICE與IBIS建模系統(tǒng)的區(qū)別，以及在制造電路板之前進行測試的重要意義。將討論如何根據(jù)電路設計選擇合適的模型。此外還將分析一些示例使用場景和常用的仿真工具，如LTspice? 和HyperLynx?。
2023-11-26
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通過動態(tài)電壓調(diào)整實現(xiàn)精密電壓調(diào)節(jié)
本文探討如何通過動態(tài)電壓調(diào)整(DVS)來實現(xiàn)精密電壓調(diào)節(jié)。DVS是一種根據(jù)預期的負載瞬變將輸出電壓稍微調(diào)高或調(diào)低的過程。本文介紹如何使用特定IC實現(xiàn)可靠的電壓監(jiān)控。
2023-11-25
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