【導讀】數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域正在發(fā)生著劇烈的變化，而且這種變化將是長期的一種趨勢。而隨著數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的變化，必然將催生中一些新的技術(shù)的產(chǎn)生，必將改變存儲領(lǐng)域的發(fā)展，那么今天我們就來看一下未來有哪些存儲技術(shù)會改變未來呢？
1）以太網(wǎng)硬盤
希捷日前宣布了其以太網(wǎng)連接的動能硬盤，該公司宣稱以太網(wǎng)硬盤將提供比現(xiàn)在有可能高達四倍存儲應(yīng)用性能。
以太網(wǎng)硬盤的設(shè)計思路非常明顯，就是要精簡數(shù)據(jù)到硬盤之間的傳輸環(huán)節(jié)（即數(shù)據(jù)無需從服務(wù)器到HBA卡再到陣列控制器最后被寫到硬盤中，在以太網(wǎng)硬盤的系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)可以直接經(jīng)網(wǎng)絡(luò)到硬盤的以太網(wǎng)接口進而存進硬盤中）。
以太網(wǎng)硬盤的優(yōu)勢非常明顯，但是同樣也面臨著非常多的挑戰(zhàn)，目前，推出以太網(wǎng)硬盤的廠商有希捷和HGST，
2）氦氣填充磁盤
HGST在之前推出了其首款6TB充氦硬盤填充氦氣的驅(qū)動器，這款產(chǎn)品的好處是，它能夠使用更多的旋轉(zhuǎn)盤片驅(qū)動器 ，增加產(chǎn)品性能能。而且氦提供更小的阻力，以防止盤片，因為過多摩擦導致更多的熱量消耗。
3）高性能相變存儲器/ NAND混合固態(tài)存儲
相變存儲器（PCM）是作為固態(tài)硬盤（SSD）替代的使用的標準NAND（閃存）內(nèi)存。相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
IBM預計，在此基礎(chǔ)上的混合PCM技術(shù)的存儲產(chǎn)品將在2016年。
4）IBM 154TB的磁帶
在2014年5月，IBM與富士膠卷已經(jīng)公布一款154TB LTO磁帶庫的演示方案，并將在未來十年內(nèi)正式投放市場。盡管這一容量水平低于索尼的185TB，但憑借著自身強大的磁帶合作關(guān)系網(wǎng)、IBM完全有機會將索尼一舉逐出角斗擂臺。
先進的伺服控制技術(shù)能夠讓磁頭實現(xiàn)納米級別的準確定位，從而允許新方案的軌道密度達到現(xiàn)有LTO6格式的28倍。新的信號處理算法使運行狀態(tài)更為可靠，同時配備極為精密的90納米磁巨阻磁頭（簡稱GMR）讀取機制。
5）遺傳存儲
哈佛大學研究人員將一本大約有 5.34 萬個單詞的書籍編碼進不到一沙克（億萬分之一克）的DNA微芯片，然后成功利用DNA測序來閱讀這本書。這是迄今為止人類使用DNA遺傳物質(zhì)儲存數(shù)據(jù)量最大的一次實驗。
DNA分子也是非常致密的存儲介質(zhì)，所以1克的DNA可以是能夠保持數(shù)據(jù)的2000TB。
