【導(dǎo)讀】2015年3月25日，英飛凌科技宣布擴(kuò)充硅基氮化鎵（GaN）技術(shù)和產(chǎn)品組合。英飛凌擁有增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，專門為了優(yōu)化要求超高能效的高性能設(shè)備。GaN技術(shù)可以大幅度縮減電源尺寸以及減輕電源重量，該技術(shù)將為GaN產(chǎn)品在終端產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)。
英飛凌科技電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平臺(tái)，以及我們與松下電器的伙伴關(guān)系，使其在前景光明的GaN市場(chǎng)上確立了領(lǐng)先的地位。按照我們‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的策略，現(xiàn)在，我們的客戶可以根據(jù)其設(shè)備/系統(tǒng)要求，靈活選擇增強(qiáng)模式或級(jí)聯(lián)模式。與此同時(shí)，英飛凌致力于開發(fā)表面貼裝器件（SMD）和IC，以便GaN技術(shù)在更為緊湊的空間內(nèi)進(jìn)一步充分發(fā)揮其優(yōu)越性能。舉個(gè)常見的實(shí)例來說，利用我們的GaN技術(shù)，當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量，可以被縮小并減輕至目前的四分之一。”
擴(kuò)充后，英飛凌提供產(chǎn)品將包括專門的驅(qū)動(dòng)器和控制器IC，它們有助于充分發(fā)揮GaN在各種拓?fù)浜透哳l率下的優(yōu)越性。同時(shí)，通過收購International Rectifier公司, 更為廣博的專利組合、硅基GaN外延工藝和100V-600V技術(shù)等都得到了進(jìn)一步加強(qiáng)。此外，通過與松下電器結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，英飛凌與松下電器將聯(lián)合推出結(jié)合了松下電器的常閉型（增強(qiáng)模式）硅基GaN晶體管結(jié)構(gòu)與英飛凌的表面貼裝器件（SMD）封裝的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，這也將帶給客戶雙重貨源便利。
這樣一來，英飛凌為客戶提供了完備的系統(tǒng)知識(shí)，以及業(yè)界最全面的GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合。不僅如此，英飛凌將憑借出類拔萃的生產(chǎn)工藝、量產(chǎn)能力和第二貨源渠道的優(yōu)勢(shì)，為客戶提供采用英飛凌SMD封裝的常閉型GaN功率器件。
相比于硅技術(shù)解決方案，硅基GaN技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時(shí)縮小器件尺寸，因此，非常適用于從諸如電視機(jī)電源和D類音頻放大器等消費(fèi)電子產(chǎn)品，到服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場(chǎng)研究報(bào)告稱，面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場(chǎng)，將以高達(dá)50%以上的年均復(fù)合增長率（CAGR）增長，因此，到2023年，其市場(chǎng)容量將從2014年的1,500萬美元，增至8億美元。
供貨情況
2015年3月15日至19日，在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）上，英飛凌和松下電器已展示采用DSO封裝的600V 70m?器件樣品。此外，還展出了增強(qiáng)模式和共源共柵配置器件?？稍谂c客戶簽訂保密協(xié)議(NDA)的情況下，提供增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的器件樣品。全面上市的中壓級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的GaN器件已向相應(yīng)的D類音頻系統(tǒng)客戶開放。
